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SI5853DDC-T1-E3规格信息

发布时间:2019年04月15日 15:04    发布者:xunavc
  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
  三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
  三极管 [1]  (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是 如图所示的几种器件。
  可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
  电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!
  电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)
  双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )注:这三者看上去都是场效应管,其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的,是和 双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管SI5853DDC-T1-E3 http://www.dzsc.com/ic-detail/9_508.html规格信息
  FET 类型:P 沟道
  技术:MOSFET(金属氧化物)
  漏源电压(Vdss):20V
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2.9A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 8VVgs(最大值):±8V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):320pF @ 10VFET 功能:肖特基二极管(隔离式)功率耗散(最大值):1.3W(Ta),3.1W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:1206-8 ChipFET封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  技术: Si
  商标名: TrenchFET
  封装: Cut Tape
  封装: MouseReel
  封装: Reel
  系列: SI54
  商标: Vishay / Siliconix
  产品类型: MOSFET
  工厂包装数量: 3000
  子类别: MOSFETs
  零件号别名: SI5853DDC-E3
  单位重量: 85 mg
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